半導體行業正處于性能、效率和可靠性必須同步發展的階段。AI 基礎設施、電動汽車、電源轉換和通信系統的需求正在將材料推向極限。氮化鎵 （GaN） 越來越受到關注，因為它可以滿足這些需求。該行業已經到了這樣一個地步，人們的話題不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大規模地部署它。二十多年來，我專注于外延生長，見證了 GaN 從一種利基研究驅動型材料轉變為電力電子領域的領先競爭者。進展是穩定的，不是一蹴而就的。現在傾向于 GaN 的公司和工程師是為下一代系統定位自己的公司。設備性能從外延開始對于 G
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GaN 可靠性 硅
高效率和高功率密度是為當今產品設計電源時的關鍵特性。為了實現這些目標，開發人員正在轉向氮化鎵 （GaN），這是一種可實現高開關頻率的寬帶隙半導體技術。與競爭對手的功率半導體技術相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸，同時降低了柵極驅動和反向恢復損耗。此外，半導體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業標準封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時簡化供應鏈。GaN 應用在 650 V AC-DC 轉換領域，變壓器外形無鉛 （TOLL） 封裝是電源設計的有效選擇。采用此封
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集成驅動器 高級保護 GaN 電源設計
引言人形機器人集成了許多子系統，包括伺服控制系統、電池管理系統 (BMS)、傳感器系統、AI 系統控制等。如果要將這些系統集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統平穩運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內空間受限最大的子系統是伺服控制系統。為了實現與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源
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GaN FET 人形機器人
_____在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現狀、應用前景及測試測量挑戰展開深入交流。香港科技大學在氧化鎵研究領域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長、器件設計、性能優化和應用開發等多個方面。通過與國際科研機構和企業的合作，港科大團隊不僅推動了氧化鎵技術的發展，也為相關領域的應用提供了重要的技術支持。黃文海教授的團隊主要致力于氧化鎵器件全鏈條的研究。在材料生長方面，聚焦優化晶體生長工藝，通過改進熔體生長技術，成
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香港科技大學 氧化鎵器件 GaN
英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進一步提升整體系統效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓撲結構可能產生較高的功率損耗。如果控制器的死區時間較長，那么這種情況就會更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設
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英飛凌 肖特基二極管 工業用 GaN 晶體管
新聞亮點：新款發布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數據中心設計，助力設計人員達到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業標準的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，將德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅動器與先進的保護功能相結合。中國上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現代數據中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數據中心需要更
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德州儀器 GaN 數據中心 電源管理芯片 保險絲
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業內少有、同時提供級聯型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰提供了更多便捷性。Nexperia
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Nexperia GaN FET
英飛凌的新一代EiceDRIVER?
1ED21x7x
650V、+/-4A柵極驅動器IC與其他產品相比，提供了一種更穩健、更具性價比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅動器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開關，設計采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術。1ED21x7x具有出色的堅固性和抗噪能力，能夠在負瞬態電壓高達-100V時保持工作邏輯穩定。可用于高壓側或低壓側功率管驅動。1ED21x7x系列非常適合驅動多個開關并聯應用，例如輕型電動汽車。基于1ED21x7x
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柵極驅動器 IC
3月14日，?“2025?英飛凌消費、計算與通訊創新大會”（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會匯聚600多位業界精英，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了精彩探討，首次在國內展示了英飛凌兩款突破性技術——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術創新領域的領先地位，并解讀最新產品與解決方案，為行業注入新動能，助力企業在低碳數字變革的浪潮中把握先機。2025英飛凌消費、計算與通訊創新大會（ICIC 2025）在深圳舉行2024年，
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英飛凌 MCU GaN
氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 是場效應晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時結合了高水平的性能和低噪聲系數。不過，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優于標準結或 MOSFET。這些獨特的器件在微波射頻 （RF） 應用中表現出色。來自 n 型區域的電子穿過晶格，許多電子保持在異質結附近（異質結是指通過兩個或多個半導體的接觸耦合形成的界面區域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開關能量 （Esw） 是在硬開關條
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GaN HEMT 開關應用 低噪聲功率
無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環保的電子產品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術滿足100kW 以上的電動汽車動力系統應用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
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CGD GAN 電動汽車 驅動逆變器
電動汽車 （EV） 越來越受歡迎，因為精明的消費者，尤其是在加利福尼亞州，認識到出色的加速性能的優勢，例如，當紅綠燈變綠時，汽油動力汽車可能會被塵土甩砸。這是因為電動機在駕駛員踩下油門的那一刻就會產生峰值扭矩。然而，與內燃機 （ICE） 汽車相比，電動汽車的主要動機是能源效率。EV 車載電池充電器EV1 的車載電池充電器 （OBC） 完全能夠為來自交流電網的高壓牽引電池充電（圖 1）。停放的車輛插入 EV 1 級和 2 級交流充電站之一，這些充電站出現在停車場、家庭、公司、購
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GaN 汽車應用 OBC 高壓 DC-DC轉換器
了解如何將氮化鎵（GaN）功率晶體管技術應用于D類音頻放大器，可以提高信號保真度，降低功耗，并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中，放大器是傳遞強大、沉浸式聲音的核心設備。這些設備將低功率音頻信號轉換為豐富、高功率的輸出，從而驅動從便攜式揚聲器到專業音響系統的一切設備。在過去十年中出現的各種放大器設計中，有一種脫穎而出：D類放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名，D類技術主導了現代音頻領域。然而，即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當前的D類音頻系統雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰。D類放大器
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GaN 放大器
氮化鎵 （GaN） 功率器件因其超快的開關速度和有限的寄生效應而成為 LiDAR 傳感器的核心構建模塊之一，從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實現高峰值電流。為了迎來自動駕駛汽車的未來，必須在車輛系統內使用更先進的傳感器。LiDAR 是檢測自動駕駛汽車周圍物體存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測和測距的縮寫，它從激光射出光并測量場景中的反射，有點像基于光的雷達。車輛的車載計算機可以使用這些數據來解釋汽車與周圍環境的關系以及道路上是否存在其他汽車和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個非常快速的開關，該開關為
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GaN 功率FET 柵極驅動器 LiDAR 傳感器
電池管理系統 （BMS） IC 是一個相對復雜的系統。與大多數電源管理 IC 不同，它集成了許多相互依賴的功能，這些功能必須準確、無縫、和諧地工作，才能提供功能齊全的 BMS。在任何電池供電的設備中，BMS 都是最關鍵和最敏感的組件之一，通常是最重要的。鋰離子電池雖然功能強大，但高度敏感，如果處理不當可能會帶來安全風險。保養不當也會顯著縮短它們的使用壽命，導致容量減少，甚至使電池無法使用。BMS IC 是負責確保電池組運行狀況、報告其狀態和保持最佳性能的關鍵元件 - 無論是獨立還是與系統處理器協作。&nb
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